為什么在儲能變流器PCS應用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命！

 

IGBT模塊在十幾 kHz開關頻率中就會表現(xiàn)出嚴重的局限性，由于IGBT模塊尾電流導致?lián)p耗較大。使用 SiC-MOSFET模塊，開關頻率增加，從而減小了濾波器體積。SiC 模塊允許在數(shù)十和數(shù)百 kHz 的頻率下運行，開關損耗相對較低，從而顯著減少了濾波器和散熱熱系統(tǒng)的體積。這些技術(shù)進步使變流器總體積大幅度減少，效率提高，從而能夠在較低溫度下運行并可能延長組件的使用壽命。

為了滿足PCS儲能變流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，可以提升系統(tǒng)效率1%，有效提升客戶在PCS生命周期里的收益。SiC碳化硅模塊全面取代IGBT模塊，從而將PCS儲能變流器開關損耗降低高達 70% 至 80%，在儲能變流器PCS應用中碳化硅SiC碳化硅模塊全面革掉IGBT模塊的命。

 

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競爭優(yōu)勢，同時也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉(zhuǎn)換應用的優(yōu)勢所在。隨著IGBT技術(shù)到達發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET單管及模塊替代升級IGBT單管及模塊已經(jīng)成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

 

學習匯川技術(shù)，咬住必然，勇立潮頭！國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住三個必然，勇立功率器件變革潮頭：

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊革掉IGBT模塊的必然趨勢！

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管革掉IGBT單管的必然趨勢！

 

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率器件一級代理商傾佳電子楊茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET單管革掉SJ超結(jié)MOSFET的必然趨勢！

 

相較于傳統(tǒng)封裝形式，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊單位半導體的通流能力可以提升約40%，或者同樣電流輸出使用的半導體用量減少1/3。同樣功率輸出條件下，功率模塊物料成本有望降低20%。PCB布局設計相對于傳統(tǒng)封裝設計更加靈活，大大加快了工程開發(fā)的迭代速度和客戶交付速度。受到封裝限制而難以在傳統(tǒng)逆變器中實現(xiàn)的高級電路拓撲，如三電平、IGBT/SiC MOSFET混并等方案，都可以借助BASiC™基半股份PCB嵌入式封裝高度靈活性的優(yōu)勢而加速了產(chǎn)業(yè)化落地。

根據(jù)技術(shù)和商業(yè)評估，BASiC™基半股份PCB嵌入式功率模塊是一項非常有前景的封裝技術(shù)，有望在在單位功率成本、功率密度、產(chǎn)品交付和迭代速度等方面遠遠超越傳統(tǒng)封裝，成為未來電力電子應用的新方向。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)多場站級自同步幅頻調(diào)制技術(shù)，實現(xiàn)了自同步的并聯(lián)構(gòu)網(wǎng)，提升了主動快速無功響應、有功支撐、故障穿越、抗沖擊性負荷和帶載同步黑啟動的能力，實現(xiàn)了多場景全工況構(gòu)網(wǎng)、電網(wǎng)主動支撐、并機環(huán)流有效抑制和多場站級大規(guī)模自同步穩(wěn)定運行。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)寬頻自穩(wěn)和致穩(wěn)控制技術(shù)，實現(xiàn)了不同電網(wǎng)規(guī)模、不同電網(wǎng)強度條件下的穩(wěn)定并網(wǎng)和寬頻振蕩抑制，提升了與光伏、風電、同步發(fā)電機等多類型電源并列穩(wěn)定運行的能力，拓展了構(gòu)網(wǎng)型儲能系統(tǒng)的應用場景。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)智能組串式儲能雙級變換架構(gòu)下電壓與有功功率解耦控制技術(shù)，有助于支撐電網(wǎng)穩(wěn)定，保障了儲能系統(tǒng)安全，提升了儲能系統(tǒng)可用度和擴容升級能力；研發(fā)了精細化智能電池管理技術(shù)，提升了全SOC范圍恒功率輸出能力。

 

SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代IGBT模塊的構(gòu)網(wǎng)型儲能PCS實現(xiàn)了暫態(tài)高倍率有功、無功快速支撐。提升了在復雜、惡劣環(huán)境條件下的長時間可靠運行能力；構(gòu)建了安全可靠的底層核心器件設計、制造的能力體系。

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現(xiàn)半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時保持最高結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展方向，體現(xiàn)在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC™基本公司研發(fā)推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產(chǎn)品進一步優(yōu)化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產(chǎn)品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優(yōu)越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源、伺服驅(qū)動、APF/SVG、熱泵驅(qū)動、工業(yè)變頻器、逆變焊機、四象限工業(yè)變頻器等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應用可靠性。